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वांडा स्क्वायर प्लाजा, वेयांग जिला, शीआन सिटी, शानक्सी चीन
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| भाग संख्या | SKiiP 36NAB126V1 |
|---|---|
| निर्माता | सेमिक्रोन-डैनफोस |
| चिप प्रौद्योगिकी | आईजीबीटी 3 ट्रेंच + सीएएल डायोड |
| वीसीईएस | 1200 वी |
| IC cont / ICRM | 70 ए / 350 ए (10 एमएस) |
| पुट (typ.) | 18.5 किलोवाट |
| टोपोलॉजी | तीन चरणों का पुल (सीआईबी) |
| एकीकृत ड्राइवर | हाँ, पूर्ण-ब्रिज गेट ड्राइव |
| अलगाव | 2.5 kV आरएमएस सिरेमिक सब्सट्रेट |
| आपूर्ति वोल्टेज | 15 वी (तर्क) |
| स्विचिंग आवृत्ति | ≤ 20 kHz |
| परिचालन तापमान | -40 °C... +125 °C (Tj) |
| आयाम | 82 मिमी × 59 मिमी × 16 मिमी |
| घुड़सवार | प्रेस-फिट या एम3 शिकंजा |
| वजन | 162 ग्राम |
| अनुमोदन | UL E63532, RoHS |